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参数资料
| 型号： | MEK75-12DA |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) Module |
| 中文描述： | 75 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-240AA |
| 封装： | MODULE-3 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | MEK75-12DA |
2000 IXYS All rights reserved
D6 - 6
200
600
-di
F
/dt
1000
0
400
800
A/
s
150
200
250
300
350
0.001
0.01
0.1
1
10
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
K/W
0
50
100
T
VJ
150
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
K
f
°C
t
s
0
200
400
600
di
F
/dt
800
1000
A/
s
20
60
100
0
40
80
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
FR
A
200
600
1000
0
400
800
A/
μ
s
20
60
100
0
40
80
10
100
1000
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
0
25
50
75
100
125
150
175
200
A
I
RM
Q
r
I
F
V
F
-di
F
/dt
-di
F
/dt
A
V
μ
C
t
rr
ns
t
fr
A/
μ
s
μ
s
75-12 DA
Fig. 7 Transient thermal impedance junction to heatsink
T
VJ
= 100°C
V
R
= 600V
T
VJ
= 100°C
I
F
= 150A
Fig. 3 Peak reverse current I
RM
versus -di
F
/dt
Fig. 2 Reverse recovery charge Q
r
versus -di
F
/dt
Fig. 1 Forward current I
versus
voltage drop V
F
per leg
T
VJ
= 100°C
V
R
= 600V
T
VJ
= 100°C
V
R
= 600V
Q
r
I
RM
Fig. 4 Dynamic parameters Q
, I
versus junction temperature T
VJ
Fig. 5 Recovery time t
rr
versus -di
F
/dt
Fig. 6 Peak forward voltage V
FR
and t
fr
versus di
F
/dt
t
fr
T
VJ
=125°C
T
VJ
= 25°C
I
F
= 150A
I
F
= 100A
I
F
= 70A
I
F
= 150A
I
F
= 100A
I
F
= 70A
I
F
= 150A
I
F
= 100A
I
F
= 70A
Constants for Z
thJH
calculation:
i
R
thi
(K/W)
t
i
(s)
1
2
3
4
0.037
0.138
0.093
0.282
0.002
0.134
0.25
0.274
Z
thJH
MEA 75-12 DA MEE 75-12 DA
MEK 75-12 DA
V
FR
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PDF描述 |
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