- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录95930 > MG600Q1US65H 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MG600Q1US65H |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | 2-109F1A, 4 PIN |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 195K |
| 代理商： | MG600Q1US65H |
MG600Q1US65H
2003-12-19
1
TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG600Q1US65H
High Power & High Speed Switching
Applications
High input impedance
Enhancement-mode
The electrodes are isolated from case.
Equivalent Circuit
Maximum Ratings (Ta
= 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-emitter voltage
VCES
1200
V
Gate-emitter voltage
VGES
±20
V
DC
IC
600
Collector current
1 ms
ICP
1200
A
DC
IF
600
Forward current
1 ms
IFM
1200
A
Collector power dissipation
(Tc
= 25°C)
PC
5400
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
40 to 125
°C
Isolation voltage
VIsol
2500
(AC 1 minute)
V
Terminal
3
Screw torque
Mounting
3
Nm
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-109F1A
Weight: 465 g (typ.)
G (B)
E
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG600Q2YS60A | 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG600Q2YS60A | 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG75H1BS1 | 75 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG75J1BS11 | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| MG75J1BS11 | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MG600Q2YS60A | 功能描述:IGBT MOD CMPCT 1200V 600A RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| MG601 | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:GUIDE PIN,ALL PKON SERIES |
| MG61D | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全称:Micro Electronics 功能描述:SOLID STATE INDICATORS ARE ENCAPSULATED IN RECTANGULAR EPOXY PACKAGE |
| MG6330 | 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANSAUDIONPN230V15ATO-3P 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANS,AUDIO,NPN,230V,15A,TO-3P 制造商:SEMELAB 功能描述:TRANS,AUDIO,NPN,230V,15A,TO-3P; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:230V; Transition Frequency Typ ft:60MHz; Power Dissipation Pd:200W; DC Collector Current:15A; DC Current Gain hFE:70; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| MG6330-R | 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANSAUDIONPN260V15ATO-3P 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANS,AUDIO,NPN,260V,15A,TO-3P 制造商:SEMELAB 功能描述:TRANS,AUDIO,NPN,260V,15A,TO-3P; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:260V; Transition Frequency Typ ft:60MHz; Power Dissipation Pd:200W; DC Collector Current:15A; DC Current Gain hFE:70; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。