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参数资料
| 型号： | MG600Q1US65H |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | 2-109F1A, 4 PIN |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 195K |
| 代理商： | MG600Q1US65H |
MG600Q1US65H
2003-12-19
5
T
ran
si
en
tth
er
ma
lr
e
si
st
an
ce
R
th
(t)
(°
C/W
)
Col
lect
or
cur
re
nt
I C
(A
)
Charge QG (nC)
VCE, VGE – QG
Col
lect
or
-e
m
itte
rv
olt
a
ge
V
CE
(V
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
C – VCE
C
apaci
tanc
e
C
(p
F)
Collector-emitter voltage VCE (V)
Short circuit SOA
Co
lle
ct
or
cu
rr
en
t
(x
ra
ting
c
urr
en
t)
Collector-emitter voltage VCE (V)
Reverse bias SOA
Pulse width tw (s)
Rth (t) – tw
0
3
6
0
400
1400
200
800
1200
VCC <= 900 V
Tj <= 125°C
tw = 5 s
5
4
2
1
600
1000
Gate
-e
mi
tt
er
v
oltag
e
V
GE
(
V
)
0
800
1600
2400
6000
Common emitter
RL = 1
Tc
= 25°C
400
1200
4800
3600
8
16
4
12
VCE = 0 V
600 V
400 V
200 V
0
100
0.01
10000
100000
1
100
Cies
Coes
Cres
Common emitter
VGE = 0
f
= 1 MHz
Tc
= 25°C
1000
0.1
10
Tc
= 25°C
0.001
0.1
1
0.1
10
Diode stage
Transistor stage
0.01
1
10
10000
0
500
1500
Tj <= 125°C
VGE = ±15 V
RG = 2.0
1000
100
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PDF描述 |
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