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参数资料
型号： MG800J1US52A
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 800 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封装： MODULE-7
文件页数： 5/7页
文件大小： 119K
代理商： MG800J1US52A
Dec.2005
MITSUBISHI IGBT MODULES
MG800J1US52A
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
MOTOR CONTROL APPLICATIONS
PERFORMANCE CURVES
1600
1200
400
800
0
02
3
4
5
1
1600
1200
800
400
0
02
5
4
3
1
10
8
6
4
2
0
20
048
12
16
9
10
15
10
8
6
4
2
0
20
04
8
12
16
1600
1200
400
800
0
04
6
8
10
12
14
2
1600
1200
400
800
0
02
3
4
5
1
10
9
12
15
VGE =
20V
VGE =
20V
12
IC = 400A
800A
1600A
Tj = 25°C
125°C
Tj = 25°C
125°C
IC = 400A
800A
1600A
IC - VCE
COLLECTOR
CURRENT
I
C
(A)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
IC - VCE
COLLECTOR
CURRENT
I
C
(A)
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)
VCE - VGE
COLLECTOR-EMITTER
VOLTAGE
V
CE
(V)
GATE-EMITTER VOLTAGE VGE (V)
VCE - VGE
COLLECTOR-EMITTER
VOLTAGE
V
CE
(V)
IC - VGE
COLLECTOR
CURRENT
I
C
(A)
GATE-EMITTER VOLTAGE VGE (V)
IF - VF
FORWARD
CURRENT
I
F
(A)
FORWARD VOLTAGE VF (V)
Common emitter
Tj = 25°C
Common emitter
Tj = 125°C
Common emitter
Tj = 25°C
Common emitter
Tj = 125°C
Common emitter
VCE = 5V
Common cathode
VGE = 0
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PDF描述
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MG800J2YS50A 功能描述:IGBT MOD CMPCT 600V 800A RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
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