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参数资料
| 型号： | MGP15N35CLG |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 15 A, 380 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| 封装： | CASE 221A-09, 3 PIN |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 250K |
| 代理商： | MGP15N35CLG |
MGP15N35CL, MGB15N35CL
http://onsemi.com
6
250
500
RG, EXTERNAL GATE RESISTANCE (Ω)
750
1000
VCC = 300 V
VGE = 5.0 V
TJ = 150°C
IC = 10 A
L = 300 μH
2
4
0
6
8
10
12
14
250
500
SWITCHING
TIME
(μ
S)
Figure 13. Switching Speed vs. External Gate
Resistance
Figure 14. Switching Speed vs. External Gate
Resistance
SWITCHING
TIME
(μ
S)
RG, EXTERNAL GATE RESISTANCE (Ω)
750
1000
VCC = 300 V
VGE = 5.0 V
TJ = 25°C
IC = 10 A
L = 300 μH
2
4
0
6
8
10
12
14
td(off)
tf
td(off)
tf
0.2
0.00001
0.001
0.0001
0.1
10
1
0.01
t,TIME (S)
R(t),
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
(°
C/W
att)
Single Pulse
110
0.1
0.05
0.02
0.01
100
1000
Duty Cycle = 0.5
0.1
Figure 15. Transient Thermal Resistance
(Nonnormalized JunctiontoAmbient mounted on
fixture in Figure 16)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT T1
TJ(pk) TA = P(pk) RθJA(t)
RθJC R(t) for t ≤ 0.2 s
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