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参数资料
| 型号： | MIC4101YM |
| 厂商： | Micrel Inc |
| 文件页数： | 17/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR HALF BRIDGE 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 31ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 118V |
| 电源电压： | 9 V ~ 16 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1109 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 576-3508-5 MIC4101YM-ND |
Micrel, Inc.
The circuit is configured as a synchronous buck power
stage. The high-side MOSFET drain connects to the input
supply voltage (drain) and the source connects to the
switching node. The low-side MOSFET drain connects to
the switching node and its source is connected to ground.
The buck converter output inductor (not shown) would
connect to the switching node. The high-side drive trace,
HO, is routed on top of its return trace, HS, to minimize
loop area and parasitic inductance. The low-side drive
Vin (FET Drain)
MIC4100/1
trace LO is routed over the ground plane which minimizes
the impedance of that current path. The decoupling
capacitors, C B and C VDD are placed to minimize etch length
between the capacitors and their respective pins. This
close placement is necessary to efficiently charge
capacitor C B when the HS node is low. All traces are
0.025” wide or greater to reduce impedance. Cin is used to
decouple the high current path through the MOSFETs.
High-side FET
Low-side FET
CIN
CB
Cvdd
HS Node
(switching node)
GND
(FET Source)
MIC4100
LO
Vss
LI
HI
GND
HS
HO
HB
Vdd
Figure 12
HO trace
March 2006
17
M9999-031506
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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