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参数资料
| 型号： | MIC4101YM |
| 厂商： | Micrel Inc |
| 文件页数： | 7/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR HALF BRIDGE 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 31ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 118V |
| 电源电压： | 9 V ~ 16 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1109 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 576-3508-5 MIC4101YM-ND |
Micrel, Inc.
Typical Characteristics
MIC4100/1
March 2006
7
M9999-031506
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AIRD-03-152K | INDUCTOR PWR DRUM CORE 1500UH |
| LM4040D30QDBZTG4 | IC VREF SHUNT PREC 3V SOT-23-3 |
| EBC13DRYH-S13 | CONN EDGECARD 26POS .100 EXTEND |
| EMM06DTAI-S189 | CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD |
| LM4040D30QDBZT | IC VREF SHUNT PREC 3V SOT-23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MIC4101YM TR | 功能描述:功率驱动器IC 100V HalfBridge MOSFET Driver 2A SOURCE/SINK CURRENT TTL INPUT (Lead Free) RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| MIC4102 | 制造商:MICREL 制造商全称:Micrel Semiconductor 功能描述:100V Half Bridge MOSFET Driver with Anti-Shoot Through Protection |
| MIC4102_11 | 制造商:MIC 制造商全称:MIC GROUP RECTIFIERS 功能描述:100V Half Bridge MOSFET Driver with Anti-Shoot Through Protection PRELIMINARY SPECIFICATIONS |
| MIC4102BM | 功能描述:IC DRIVER MOSFET 100V TTL 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| MIC4102BM TR | 功能描述:IC DRIVER MOSFET 100V 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
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