参数资料
型号: MJD127-I
厂商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封装: IPAK-3
文件页数: 2/5页
文件大小: 51K
代理商: MJD127-I
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
MJD127
Rev. A2, June 2001
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Collector Output Capacitance
Figure 4. Turn On Time
Figure 5. Turn Off Time
Figure 6. Safe Operating Area
-0.1
-1
-10
100
1k
10k
VCE = -4V
h
FE
,DC
CU
RRE
NT
G
A
IN
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-0.1
-1
-10
-100
-0.01
-0.1
-1
-10
IC = 250 IB
VCE(sat)
VBE(sat)
V
BE
(s
a
t),
V
CE
(s
at)
[V
],
S
A
T
URA
T
ION
V
O
LT
A
G
E
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-0.1
-1
-10
-100
1
10
100
1000
C
ob
[p
F
],
CAPACI
T
A
N
CE
VCB[V], COLLECTOR BASE VOLTAGE
-0.1
-1
-10
0.01
0.1
1
10
VCC= -30V
IC= 250IB
IB1= IB2
tD, VBE(off)=0
tR
t R
,t
D
[
s
],
TU
R
N
O
N
TI
ME
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-0.1
-1
-10
0.1
1
10
VCC= -30V
IC=250IB
IB1=IB2
tF
tSTG
t ST
G
,t
F[
s
],
TU
R
N
O
FF
TI
ME
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-1
-10
-100
-1000
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
500
s
5m
s
100
s
1m
s
DC
I C
[A
],
CO
L
E
C
T
O
R
CURRE
NT
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
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