型号: | MJD127-I |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
封装: | IPAK-3 |
文件页数: | 4/5页 |
文件大小: | 51K |
代理商: | MJD127-I |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MJD13005-1 | Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, TO-251 |
MJD148-1 | 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD5731-1 | 1 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD253-1 | 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD148-2 | 4 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MJD127T4 | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
MJD127T4G | 功能描述:达林顿晶体管 8A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
MJD127TF | 功能描述:达林顿晶体管 PNP Si Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
MJD127-TP | 功能描述:TRANS PNP 100V 8A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
MJD128 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Darlington Power Transistor |