| 型号: | MJD200 |
| 厂商: | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类: | 功率晶体管 |
| 英文描述: | 5 A, 25 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 封装: | TO-252, DPAK-3 |
| 文件页数: | 1/4页 |
| 文件大小: | 48K |
| 代理商: | MJD200 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD210T4 | 5 A, 25 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| MJD2955 | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| MJD3055T4 | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD3055 | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| MJD2955T4 | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD200_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Plastic Power Transistors |
| MJD200_11 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Plastic Power Transistors |
| MJD200-1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS |
| MJD200G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 25V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD200G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR |