型号: | MJD31C-1 |
厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
封装: | PLASTIC, CASE 369D-01, DPAK-3 |
文件页数: | 8/8页 |
文件大小: | 0K |
代理商: | MJD31C-1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MJD32C-1 | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD31CI | 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251 |
MJD31C-I | 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD31I | 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251 |
MJD32C-TP | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MJD31C1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 100V IPAK-4 |
MJD31CEITU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
MJD31CG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |