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参数资料
| 型号： | MJD32TF |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | MJD32TF |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
MJD32/
32C
Rev. A2, June 2001
Typical Characteristics (Continued)
Figure 7. Power Derating
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
P
C
[W
],
P
O
W
E
R
D
IS
S
IP
A
T
IO
N
T
C[
o
C], CASE TEMPERATURE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD32I | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD340-I | 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD340I | 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD350-1 | 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD340-1 | 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD340 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 0.5A 300V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD340_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| MJD340_11 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Power Transistors |
| MJD340-1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 0.5 AMPERE 300 VOLTS 15 WATTS |
| MJD340-13 | 功能描述:两极晶体管 - BJT HIGH VOLTAGE NPN SMT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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