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参数资料
| 型号： | MJD360T4-A |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TO-252, DPAK-3 |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MJD360T4-A |
MJD360T4-A, MJD361T4-A
Package mechanical data
Doc ID 16126 Rev 1
5/7
DIM.
mm.
min.
typ
max.
A
2.20
2.40
A1
0.901.10
A2
0.03
0.23
b
0.64
0.90
b4
5.20
5.40
c
0.45
0.60
c2
0.48
0.60
D
6.00
6.20
D1
5.10
E
6.40
6.60
E1
4.70
e2.28
e1
4.40
4.60
H
9.35
10.10
L1
2.80
L2
0.80
L4
0.60
1
R0.20
V2
0 o
8 o
TO-252 (DPAK) mechanical data
0068772_G
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD361T4-A | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD41CI | 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD42C-1 | 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD44E3-1 | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD44H11T4-A | 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD361T4-A | 功能描述:两极晶体管 - BJT LV Complimentary 60V Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD41C | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors |
| MJD41C_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors |
| MJD41C_11 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors |
| MJD41C-1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 6 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS |
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