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参数资料
| 型号： | MJD44H11T4-A |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TO-252, DPAK-3 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MJD44H11T4-A |
MJD44H11T4-A, MJD45H11T4-A
Electrical characteristics
Doc ID 16095 Rev 1
3/8
2
Electrical characteristics
Tcase = 25 °C; unless otherwise specified.
Note:
For PNP types voltage and current values are negative.
2.1
Typical characteristic (curves)
Table 4.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
VCEO(sus)
(1)
1.
Pulse test: pulse duration
≤ 300 s, duty cycle ≤ 2 %.
Collector-emitter
sustaining voltage (IB = 0)
IC = 30 mA
80
-
V
ICES
Collector cut-off current
(VBE = 0)
VCE = 80 V
-
10
A
IEBO
Emitter cut-off current
(IC = 0)
VEB = 5 V
-
50
A
VCE(sat)
(1)
Collector-emitter saturation
voltage
IC = 8 A
IB = 0.4 A
-
1
V
VBE(sat)
(1)
Base-emitter saturation
voltage
IC = 8 A
IB = 0.8 A
-
1.5
V
hFE
(1)
DC current gain
IC = 2 A_
VCE = 1 V
60
-
IC = 4 A_ _
VCE = 1 V
40
-
Figure 2.
Safe operating area
Figure 3.
Derating curves
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD45H11T4-A | 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
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| MJD47-I | 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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