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参数资料
型号： MJD45H11T4-A
厂商： STMICROELECTRONICS
元件分类： 功率晶体管
英文描述： 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
封装： ROHS COMPLIANT, TO-252, DPAK-3
文件页数： 2/8页
文件大小： 0K
代理商： MJD45H11T4-A
Absolute maximum ratings
MJD44H11T4-A, MJD45H11T4-A
2/8
Doc ID 16095 Rev 1
1
Absolute maximum ratings
Note:
For PNP types voltage and current values are negative.
Table 2.
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCEO
Collector-emitter voltage (IB = 0)
80
V
VEBO
Emitter-base voltage (IC = 0)
5
V
IC
Collector current
8
A
ICM
Collector peak current
16
A
PTOT
Total dissipation at Tcase = 25 °C
20
W
TSTG
Storage temperature
-55 to 150
°C
TJ
Max. operating junction temperature
150
°C
Table 3.
Thermal data
Symbol
Parameter
Value
Unit
RthJC
Thermal resistance junction-case max
6.25
°C/W
相关PDF资料
PDF描述
MJD45H11-1 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD44H11-1 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD47-I 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD50-1 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD47-1 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
MJD45H11T4G 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD45H11T4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTOR PNP -80V D-PAK
MJD45H11T4G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:MJD Series 80 V 8 A PNP Complementary Power Transistor - TO-252
MJD45H11TF 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD45H11TF 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MULTIPLEXER IC ROHS COMPLIANT:NO
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