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参数资料
型号： MJE18008AU
厂商： ON SEMICONDUCTOR
元件分类： 功率晶体管
英文描述： 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件页数： 11/65页
文件大小： 503K
代理商： MJE18008AU
2–13
Selector Guide
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 8. Metal TO–204AA (Formerly TO–3), TO–204AE (continued)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
Resistive Switching
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
Device Type
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
@ IC
Amp
tf
s
Max
ts
s
Max
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
PNP
NPN
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
10
60
2N3715
2N3791
30 min
3
0.3 typ
0.4 typ
5
4
150
MJ3000(2)
MJ2500(2)
1k min
5
150
80
2N3716
2N3792
30 min
3
0.3 typ
0.4 typ
5
4
150
2N5878
20/100
4
1
0.8
4
150
MJ3001 (2)
MJ2501 (2)
1k min
5
150
140
2N3442
20/70
4
117
250
MJ15011
MJ15012
20/100
2
200
325
MJ413
20/80
0.5
2.5
125
MJ423
30/90
1
2.5
125
400
BU323A (2)
150 min
6
7.5 typ
5.2 typ
6
175
MJ10007 (2)
30/300
5
1.5
0.5
5
10(1)
150
MJ10012 (2)
100/2k
6
15
6
175
12
60
2N6057(2)
2N6050(2)
750/18k
6
1.6 typ
1.5 typ
6
4(1)
150
80
2N6058(2)
2N6051(2)
750/18k
6
1.6 typ
1.5 typ
6
4(1)
150
100
2N6059 (2)
2N6052 (2)
750/18k
6
1.6 typ
1.5 typ
6
4(1)
150
15
60
2N3055
MJ2955
20/70
4
0.7 typ
0.3 typ
4
2.5
115
2N3055A
MJ2955A
20/70
4
0.8
115
2N6576 (2)
2k/20k
4
2
7
10
10–200(1)
120
2N5881
2N5879
20/100
6
1
0.8
6
4
160
80
2N5882
2N5880
20/100
6
1
0.8
6
4
160
90
2N6577 (2)
2k/20k
4
2
7
10
10–200(1)
120
MJ15015
MJ15016
20/70
4
0.7 typ
0.3 typ
4
1
180
2N6578 (2)
2k/20k
4
2
7
10
10–200(1)
120
140
MJ15001
MJ15002
25/150
4
2
200
150
MJ11018(2)
MJ11017(2)
100 min
15
3(1)
175
200
MJ11020 (2)
100 min
15
3(1)
175
MJ3281A
MJ1302A
60/175
0.1
30 typ
250
MJ11022 (2)
MJ11019 (2)
100 min
15
3(1)
175
MJ11021(2)
6/30
10
4
0.7
10
6 to 24
175
400/850
BUX48
8 min
10
2
0.4
10
175
2N6547
6/30
10
4
0.7
10
6to24
175
400/650
MJ16110
6/20
15
0.8 typ
0.1 typ
10
175
450/1000
BUX48A
8 min
8
2
0.4
10
175
(1)|hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(8)When 2 voltages are given, the format is VCEO(sus)/VCES.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
相关PDF资料
PDF描述
MJE18008AS 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18008BC 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18009BV 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18009BC 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18009AN 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
MJE18008G 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE18009 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS
MJE180G 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 40V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE180PWD 功能描述:TRANSISTOR NPN 40V 3A RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
MJE180STU 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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