- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录98019 > MJE18008AU (ON SEMICONDUCTOR) 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MJE18008AU |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/65页 |
| 文件大小： | 503K |
| 代理商： | MJE18008AU |
第1页当前第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页
Selector Guide
2–4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 2. Plastic TO–220AB
Device Type
Resistive Switching
PD
ICCont
Amps
Max
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
NPN
PNP
hFE
Min/Max
@ IC
Amp
ts
s
Max
tf
s
Max
@ IC
Amp
fT
MHz
Min
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
0.5
350
MJE2360T
15 min
0.1
10 typ
30
MJE2361T
40 min
0.1
10 typ
30
1
100
TIP29C
TIP30C
15/75
1
0.6 typ
0.3 typ
1
3
30
250
TIP47
30/150
0.3
2 typ
0.18 typ
0.3
10
40
300
TIP48
MJE5730
30/150
0.3
2 typ
0.18 typ
0.3
10
40
350
TIP49
MJE5731
30/150
0.3
2 typ
0.18 typ
0.3
10
40
400
TIP50
MJE5731A (7)
30/150
0.3
2 typ
0.18 typ
0.3
10
40
2
100
TIP112 (2)
TIP117 (2)
500 min
2
1.7 typ
1.3 typ
2
25(1)
50
400/700
BUL44
14/36
0.4
2.75(3)
0.175(3)
1
13 typ
50
450/1000
BUX85
30
0.1
3.5
1.4
1
4
50
450/1000
MJE18002
14/34
0.2
3(3)
0.17(3)
1
12 typ
40
900/1800
MJE1320
3 min
1
4 typ
0.8 typ
1
80
3
80
BD241B
BD242B
25 min
1
3
40
100
BD241C
BD242C
25 min
1
3
40
TIP31C
TIP32C
25 min
1
0.6 typ
0.3 typ
1
3
40
150
MJE9780
50/200
0.5
5 typ
40
(1)|hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(3)Switching tests performed w/special application simulator circuit. See data sheet for details.
(7)VCEO = 375 V
(8)When 2 voltages are given, the format is VCEO(sus)/VCES.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
CASE 221A–06
(TO–220AB)
1
2
3
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE18008AS | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18008BC | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18009BV | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18009BC | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18009AN | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJE18008G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18009 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS |
| MJE180G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 40V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE180PWD | 功能描述:TRANSISTOR NPN 40V 3A RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| MJE180STU | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。