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参数资料
| 型号： | MJE18008AU |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 9/65页 |
| 文件大小： | 503K |
| 代理商： | MJE18008AU |
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2–11
Selector Guide
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 6. Plastic TO–225AA Type (Formerly TO–126 Type) (continued)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
Resistive Switching
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
Device Type
VCEO(sus)
Volts
Min
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
@ IC
Amp
tf
s
Max
ts
s
Max
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
PNP
NPN
VCEO(sus)
Volts
Min
4
80
BD779 (2)
BD780 (2)
750 min
2
20
15
MJE802 (2)
MJE702 (2)
750 min
1.5
1(1)
40
MJE803 (2)
MJE703 (2)
750 min
2
1(1)
40
2N6039 (2)
2N6036 (2)
750/18k
2
1.7 typ
1.2 typ
2
25
40
100
BD681(2)
BD682(2)
750 min
1.5
40
BD791
BD792
10 min
2
40
15
MJE243
MJE253
40/120
0.2
0.15 typ
0.07 typ
2
40
15
5
25
MJE200
MJE210
45/180
2
0.13 typ
0.035 typ
2
65
15
Table 7. DPAK – Surface Mount Power Packages
Device Type
Resistive Switching
PD
ICCont
Amps
Max
VCEO(sus)
Volts
Min
NPN
PNP
hFE
Min/Max
@ IC
Amp
ts
s
Max
tf
s
Max
@ IC
Amp
fT
MHz
Min
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
0.5
300
MJD340
MJD350
30/240
0.05
15
1
250
MJD47
30/150
0.3
2
0.2
0.3
10
15
375
MJD5731
TBD
400
MJD50
30/150
0.3
2
0.2
0.3
10
15
1.5
400
MJD13003
5/25
1
4
0.7
1
4
15
(1)|hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(12)Case 369–07 may be ordered by adding –1 suffix to part number.
(13)Case 369A–13 may be ordered as tape and reel by adding a “T4” suffix; 2500 units/reel.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
CASE 369(12)
1
3
2
1
3
2
4
CASE 369A(13)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE18008AS | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18008BC | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18009BV | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18009BC | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18009AN | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJE18008G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18009 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS |
| MJE180G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 40V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE180PWD | 功能描述:TRANSISTOR NPN 40V 3A RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| MJE180STU | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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