- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录379321 > MJF122 (MOTOROLA INC) COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MJF122 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS |
| 中文描述： | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 267K |
| 代理商： | MJF122 |
4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
V
V
Figure 6. Typical Small–Signal Current Gain
f, FREQUENCY (kHz)
70
300
h
30
200
100
50
TC = 25
°
C
VCE = 4 Vdc
IC = 3 Adc
Figure 7. Typical Capacitance
10,000
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
C
Cib
Cob
0.1
200
100
1000
500
300
10
30
20
100
5
1
0.5
2000
3000
5000
10
50
0.2
2
20
TJ = 25
°
C
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
NPN
MJF122
PNP
MJF127
Figure 8. Typical DC Current Gain
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
200
0.2
0.5
3000
2000
1000
10,000
h
VCE = 4 V
TJ = 150
°
C
5000
0.3
1
25
°
C
–55
°
C
0.7
3
20,000
300
500
5
10
h
IB, BASE CURRENT (mA)
2.6
2.2
1.8
1.4
0.3
0.5
0.7
10
2
5
IC = 2 A
4 A
1
6 A
TJ = 25
°
C
3
1
20
30
IB, BASE CURRENT (mA)
2.6
2.2
1.8
1.4
3
1
Figure 9. Typical Collector Saturation Region
PNP
NPN
PNP
NPN
1
1000
50
10
5
100
500
2
20
200
50
200
3000
2000
1000
700
10,000
7000
5000
20,000
300
500
2
7
0.1
0.2
0.5
0.3
1
0.7
3
5
10
2
7
VCE = 4 V
TJ = 150
°
C
25
°
C
–55
°
C
IC = 2 A
4 A
6 A
3
7
0.3
0.5
0.7
10
2
5
1
20
30
3
7
TJ = 25
°
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJF15030 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 150 VOLTS 36 WATTS |
| MJF15030 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| MJF15031 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| MJF15031 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 150 VOLTS 36 WATTS |
| MJF18002 | POWER TRANSISTOR 2.0 AMPERES 1000 VOLTS 25 and 50 WATTS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJF122G | 功能描述:达林顿晶体管 5A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJF127 | 功能描述:达林顿晶体管 5A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJF127G | 功能描述:达林顿晶体管 5A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| MJF13007 | 制造商:SAVANTIC 制造商全称:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| MJF13009 | 制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。