型号: | MJL21196 |
厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
中文描述: | 16 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264AA |
封装: | CASE 340G-02, TO-3BPL, TO-264, 3 PIN |
文件页数: | 5/6页 |
文件大小: | 135K |
代理商: | MJL21196 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MJL21196G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 16A 250V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJL3281 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:15 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 200 VOLTS 200 WATTS |
MJL3281A | 功能描述:两极晶体管 - BJT 15A 230V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJL3281A_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:15 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 260 VOLTS 200 WATTS |
MJL3281AG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 15A 230V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |