- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录382326 > MJW18020 (ON SEMICONDUCTOR) NPN Silicon Power Transistors High Voltage Planar PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MJW18020 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | NPN Silicon Power Transistors High Voltage Planar |
| 中文描述： | 30 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247AD |
| 封装： | CASE 340L-02, TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | MJW18020 |
MJW18020
http://onsemi.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. DC Current Gain, V
CE
= 2.0 V
0.01
0.1
1.0
10
1.0
10
100
100
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
0.1
1.0
10.0
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
0.01
0.1
1.0
10
1.0
10
100
100
Figure 2. DC Current Gain, V
CE
= 5.0 V
0.1
1.0
10.0
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
Figure 3. Typical Collector–Emitter Saturation
Voltage, I
C
/I
B
= 5.0
Figure 4. Typical Collector–Emitter Saturation
Voltage, I
C
/I
B
= 10
Figure 5. Typical Base–Emitter Saturation
Voltage, I
C
/I
B
= 5.0
Figure 6. Typical Base–Emitter Saturation
Voltage, I
C
/I
B
= 10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
H
F
,
H
F
,
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
V
C
,
V
C
,
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
V
B
,
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
V
B
,
T
J
= 25
°
C
T
J
= –20
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= –20
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= –20
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= –20
°
C
T
J
= 125
°
C
I
c
/I
b
= 10
I
c
/I
b
= 5.0
V
CE
= 2.0 V
V
CE
= 5.0 V
T
J
= 25
°
C
I
c
/I
b
= 10
I
c
/I
b
= 5.0
T
J
= –20
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= –20
°
C
T
J
= 125
°
C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJW21193 | Silicon Power Transistors |
| MJW21194 | Silicon Power Transistors |
| MJW21195 | Silicon Power Transistors |
| MK4116 | 16,384 X 1 BIT DYNAMIC RAM |
| MK4116P-2 | 16,384 X 1 BIT DYNAMIC RAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJW18020_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Power Transistors High Voltage Planar |
| MJW18020G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 20A 450V 250W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJW21191 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 150V 100W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJW21191G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 150V 100W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJW21192 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 150V 100W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。