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参数资料
| 型号： | MJW18020 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | NPN Silicon Power Transistors High Voltage Planar |
| 中文描述： | 30 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247AD |
| 封装： | CASE 340L-02, TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | MJW18020 |
MJW18020
http://onsemi.com
7
Notes
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJW21193 | Silicon Power Transistors |
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| MK4116 | 16,384 X 1 BIT DYNAMIC RAM |
| MK4116P-2 | 16,384 X 1 BIT DYNAMIC RAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJW18020_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Power Transistors High Voltage Planar |
| MJW18020G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 20A 450V 250W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJW21191 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 150V 100W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJW21191G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 150V 100W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJW21192 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 150V 100W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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