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参数资料
| 型号： | MK60DN256ZVMC10 |
| 厂商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 32-BIT, FLASH, 100 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PBGA121 |
| 封装： | 8 X 8 MM, MAPBGA-121 |
| 文件页数： | 29/75页 |
| 文件大小： | 1030K |
| 代理商： | MK60DN256ZVMC10 |
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Table 21. Flash command timing specifications (continued)
Symbol
Description
Min.
Typ.
Max.
Unit
Notes
tersblk256k
Erase Flash Block execution time
256 KB data flash
—
160
800
ms
tersscr
Erase Flash Sector execution time
—
20
100
ms
tpgmsec512
tpgmsec1k
tpgmsec2k
Program Section execution time
512 B flash
1 KB flash
2 KB flash
—
TBD
ms
trd1all
Read 1s All Blocks execution time
—
2.8
ms
trdonce
Read Once execution time
—
35
μs
tpgmonce
Program Once execution time
—
50
TBD
μs
tersall
Erase All Blocks execution time
—
320
1600
ms
tvfykey
Verify Backdoor Access Key execution time
—
35
μs
tswapx01
tswapx02
tswapx04
tswapx08
Swap Control execution time
control code 0x01
control code 0x02
control code 0x04
control code 0x08
—
TBD
μs
tpgmpart256k
Program Partition for EEPROM execution time
256 KB FlexNVM
—
175
TBD
ms
tsetram32k
tsetram256k
Set FlexRAM Function execution time:
32 KB EEPROM backup
256 KB EEPROM backup
—
TBD
ms
Byte-write to FlexRAM for EEPROM operation
teewr8bers Byte-write to erased FlexRAM location execution
time
—
100
TBD
μs
teewr8b32k
teewr8b64k
teewr8b128k
teewr8b256k
Byte-write to FlexRAM execution time:
32 KB EEPROM backup
64 KB EEPROM backup
128 KB EEPROM backup
256 KB EEPROM backup
—
TBD
1.5
TBD
2.5
ms
Word-write to FlexRAM for EEPROM operation
teewr16bers Word-write to erased FlexRAM location
execution time
—
100
TBD
μs
Table continues on the next page...
Peripheral operating requirements and behaviors
K60 Sub-Family Data Sheet Data Sheet, Rev. 5, 5/2011.
Freescale Semiconductor, Inc.
Preliminary
35
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MK60DX256ZVMC10 | 32-BIT, FLASH, 100 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PBGA121 |
| MC9S08AC60CPUE | 8-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP64 |
| MC9S08AC60MFDE | 8-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, QCC48 |
| MC9S08AC60MFGE | 8-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP44 |
| MC9S08AC60MFUE | 8-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP64 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MK60DN256ZVMD10 | 功能描述:ARM微控制器 - MCU Kinetis 256K enet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 核心:ARM Cortex M4F 处理器系列:STM32F373xx 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:72 MHz 程序存储器大小:256 KB 数据 RAM 大小:32 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.65 V to 3.6 V, 2 V to 3.6 V, 2.2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LQFP-48 安装风格:SMD/SMT |
| MK60DN512VLL10 | 功能描述:ARM微控制器 - MCU KINETIS 512K ENET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 核心:ARM Cortex M4F 处理器系列:STM32F373xx 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:72 MHz 程序存储器大小:256 KB 数据 RAM 大小:32 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.65 V to 3.6 V, 2 V to 3.6 V, 2.2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LQFP-48 安装风格:SMD/SMT |
| MK60DN512VLL10R | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:MK60DN512VLL10R - Tape and Reel 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:KINETIS 512K ENET - Tape and Reel 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:Kinetis 512K enet |
| MK60DN512VLQ10 | 功能描述:ARM微控制器 - MCU KINETIS 512K ENET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 核心:ARM Cortex M4F 处理器系列:STM32F373xx 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:72 MHz 程序存储器大小:256 KB 数据 RAM 大小:32 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.65 V to 3.6 V, 2 V to 3.6 V, 2.2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LQFP-48 安装风格:SMD/SMT |
| MK60DN512VMC10 | 功能描述:ARM微控制器 - MCU Kinetis 2.x 512K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 核心:ARM Cortex M4F 处理器系列:STM32F373xx 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:72 MHz 程序存储器大小:256 KB 数据 RAM 大小:32 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.65 V to 3.6 V, 2 V to 3.6 V, 2.2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LQFP-48 安装风格:SMD/SMT |
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