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参数资料
型号： MK60DN256ZVMC10
厂商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分类： 微控制器/微处理器
英文描述： 32-BIT, FLASH, 100 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PBGA121
封装： 8 X 8 MM, MAPBGA-121
文件页数： 30/75页
文件大小： 1030K
代理商： MK60DN256ZVMC10
Table 21. Flash command timing specifications (continued)
Symbol
Description
Min.
Typ.
Max.
Unit
Notes
teewr16b32k
teewr16b64k
teewr16b128k
teewr16b256k
Word-write to FlexRAM execution time:
32 KB EEPROM backup
64 KB EEPROM backup
128 KB EEPROM backup
256 KB EEPROM backup
—
TBD
1.5
TBD
2.5
ms
Longword-write to FlexRAM for EEPROM operation
teewr32bers Longword-write to erased FlexRAM location
execution time
—
200
TBD
μs
teewr32b32k
teewr32b64k
teewr32b128k
teewr32b256k
Longword-write to FlexRAM execution time:
32 KB EEPROM backup
64 KB EEPROM backup
128 KB EEPROM backup
256 KB EEPROM backup
—
TBD
2.7
TBD
3.7
ms
1. Assumes 25MHz flash clock frequency.
2. Maximum times for erase parameters based on expectations at cycling end-of-life.
3. For byte-writes to an erased FlexRAM location, the aligned word containing the byte must be erased.
6.4.1.3 Flash (FTFL) current and power specfications
Table 22. Flash (FTFL) current and power specfications
Symbol
Description
Typ.
Unit
IDD_PGM
Worst case programming current in program flash
10
mA
6.4.1.4 Reliability specifications
Table 23. NVM reliability specifications
Symbol
Description
Min.
Typ.1
Max.
Unit
Notes
Program Flash
tnvmretp10k Data retention after up to 10 K cycles
5
TBD
—
years
2
tnvmretp1k Data retention after up to 1 K cycles
10
TBD
—
years
2
tnvmretp100 Data retention after up to 100 cycles
15
TBD
—
years
2
nnvmcycp
Cycling endurance
10 K
TBD
—
cycles
3
Data Flash
tnvmretd10k Data retention after up to 10 K cycles
5
TBD
—
years
2
tnvmretd1k Data retention after up to 1 K cycles
10
TBD
—
years
2
tnvmretd100 Data retention after up to 100 cycles
15
TBD
—
years
2
Table continues on the next page...
Peripheral operating requirements and behaviors
K60 Sub-Family Data Sheet Data Sheet, Rev. 5, 5/2011.
36
Preliminary
Freescale Semiconductor, Inc.
相关PDF资料
PDF描述
MK60DX256ZVMC10 32-BIT, FLASH, 100 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PBGA121
MC9S08AC60CPUE 8-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP64
MC9S08AC60MFDE 8-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, QCC48
MC9S08AC60MFGE 8-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP44
MC9S08AC60MFUE 8-BIT, FLASH, 40 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP64
相关代理商/技术参数
参数描述
MK60DN256ZVMD10 功能描述:ARM微控制器 - MCU Kinetis 256K enet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 核心:ARM Cortex M4F 处理器系列:STM32F373xx 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:72 MHz 程序存储器大小:256 KB 数据 RAM 大小:32 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.65 V to 3.6 V, 2 V to 3.6 V, 2.2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LQFP-48 安装风格:SMD/SMT
MK60DN512VLL10 功能描述:ARM微控制器 - MCU KINETIS 512K ENET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 核心:ARM Cortex M4F 处理器系列:STM32F373xx 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:72 MHz 程序存储器大小:256 KB 数据 RAM 大小:32 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.65 V to 3.6 V, 2 V to 3.6 V, 2.2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LQFP-48 安装风格:SMD/SMT
MK60DN512VLL10R 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:MK60DN512VLL10R - Tape and Reel 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:KINETIS 512K ENET - Tape and Reel 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:Kinetis 512K enet
MK60DN512VLQ10 功能描述:ARM微控制器 - MCU KINETIS 512K ENET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 核心:ARM Cortex M4F 处理器系列:STM32F373xx 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:72 MHz 程序存储器大小:256 KB 数据 RAM 大小:32 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.65 V to 3.6 V, 2 V to 3.6 V, 2.2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LQFP-48 安装风格:SMD/SMT
MK60DN512VMC10 功能描述:ARM微控制器 - MCU Kinetis 2.x 512K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 核心:ARM Cortex M4F 处理器系列:STM32F373xx 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:72 MHz 程序存储器大小:256 KB 数据 RAM 大小:32 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.65 V to 3.6 V, 2 V to 3.6 V, 2.2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LQFP-48 安装风格:SMD/SMT
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