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参数资料
| 型号： | MKI50-06A7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT H-BRIDGE 600V 72A E2 |
| 标准包装： | 12 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 全桥反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 72A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 600µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 2.8nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 225W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E2 |
| 供应商设备封装： | E2 |
MKI 50-06 A7
MKI 50-06 A7T
IGBT Modules
I C25
= 72 A
H-Bridge
Short Circuit SOA Capability
Square RBSOA
V CES = 600 V
V CE(sat) typ. = 1.9 V
Type
MKI 50-06 A7
MKI 50-06 A7T
NTC - Option
without NTC
with NTC
13
1
2
T1
D1
9
10
T5
D5
16
T
T2
T6
14
3
D2
11
D6
T
12
4
17
IGBTs
Features
? NPT IGBT technology
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
? low saturation voltage
V CES
V GES
I C25
I C80
RBSOA
t SC
(SCSOA)
P tot
T VJ = 25°C to 150°C
T C = 25°C
T C = 80°C
V GE = ± 15 V; R G = 22 Ω ; T VJ = 125°C
Clamped inductive load; L = 100 μH
V CE = V CES ; V GE = ± 15 V; R G = 22 Ω ; T VJ = 125°C
non-repetitive
T C = 25°C
600
± 20
72
50
I CM = 100
V CEK ≤ V CES
10
225
V
V
A
A
A
μs
W
? low switching losses
? square RBSOA, no latch up
? high short circuit capability
? positive temperature coefficient for
easy parallelling
? MOS input, voltage controlled
? ultra fast free wheeling diodes
? solderable pins for PCB mounting
? package with copper base plate
Advantages
? space savings
? reduced protection circuits
? package designed for wave soldering
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Typical Applications
? motor control
V CE(sat)
V GE(th)
I CES
I GES
I C = 50 A; V GE = 15 V; T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
I C = 1 mA; V GE = V CE
V CE = V CES ; V GE = 0 V; T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
V CE = 0 V; V GE = ± 20 V
4.5
1.9
2.2
0.7
2.4
6.5
0.6
200
V
V
V
mA
mA
nA
- DC motor armature winding
- DC motor excitation winding
- synchronous motor excitation winding
? supply of transformer primary winding
- power supplies
- welding
- X-ray
- UPS
- battery charger
t d(on)
50
ns
t r
t d(off)
t f
E on
E off
C ies
Q Gon
R thJC
Inductive load, T VJ = 125°C
V CE = 300 V; I C = 50 A
V GE = ±15 V; R G = 22 Ω
V CE = 25 V; V GE = 0 V; f = 1 MHz
V CE = 300V; V GE = 15 V; I C = 50 A
(per IGBT)
60
300
30
2.3
1.7
2800
120
ns
ns
ns
mJ
mJ
pF
nC
0.55 K/W
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2011 IXYS All rights reserved
20110119a
1-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| L18P030S12 | SENSOR CURRENT |
| V-15-1A6 | SWITCH MINI SPDT 15A PIN PLUNGER |
| F1842CAH1600 | MODULE SCR/DIODE 40A 600VAC |
| P-4-0 | CORD PIN TIP PLUG PATCH 4" BLACK |
| F1857HD1400 | MODULE SCR/DIODE 55A 530VAC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MKI50-06A7T | 功能描述:分立半导体模块 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MKI50-12E7 | 功能描述:分立半导体模块 IGBT (NPT3) 1200V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MKI50-12F7 | 功能描述:IGBT 模块 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MKI65-06A7T | 功能描述:分立半导体模块 65 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MKI75-06A7 | 功能描述:IGBT 模块 75 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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