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参数资料
| 型号： | MKI50-06A7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT H-BRIDGE 600V 72A E2 |
| 标准包装： | 12 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 全桥反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 72A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 600µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 2.8nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 225W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E2 |
| 供应商设备封装： | E2 |
MKI 50-06 A7
MKI 50-06 A7T
10.0
t d(on)
100
4
400
mJ
ns
mJ
E off
ns
E on
7.5
75
t
E off
3
300
t
t r
t d(off)
5.0
V CE = 300V
V GE = ±15V
50
2
V CE = 300V
V GE = ±15V
200
2.5
0.0
E on
R G = 22 Ω
T VJ = 125°C
25
0
1
0
R G = 22 Ω
T VJ = 125°C
t f
100
0
0
40
80
A
120
0
40
80
A
120
I C
Fig. 7 Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
I C
Fig. 8 Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
4
t d(on)
80
3
mJ
600
E on
mJ
3
E on
ns
60
t
E off
2
E off
ns
400
t
t r
V CE = 300V
t d(off)
V CE = 300V
I C
2
V GE = ±15V
= 50A
40
1
V GE = ±15V
I C = 50A
200
T VJ = 125°C
T VJ = 125°C
1
0
10
20
30
40
20
50 Ω 60
0
0
10
20
30
40
t f
0
50 Ω 60
120
R G
Fig. 9 Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
10
R G
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
A
K/W
diode
I CM
90
Z thJC
1
IGBT
0.1
60
0.01
30
R G = 22 Ω
0.001
single pulse
T VJ = 125°C
0
0.0001
MWI5006A7
0
100
200
300
400
500
600
700 V
0.00001 0.0001 0.001
0.01
0.1
1
s 10
V CE
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
t
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
RBSOA
20110119a
? 2011 IXYS All rights reserved
4-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| L18P030S12 | SENSOR CURRENT |
| V-15-1A6 | SWITCH MINI SPDT 15A PIN PLUNGER |
| F1842CAH1600 | MODULE SCR/DIODE 40A 600VAC |
| P-4-0 | CORD PIN TIP PLUG PATCH 4" BLACK |
| F1857HD1400 | MODULE SCR/DIODE 55A 530VAC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MKI50-06A7T | 功能描述:分立半导体模块 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MKI50-12E7 | 功能描述:分立半导体模块 IGBT (NPT3) 1200V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MKI50-12F7 | 功能描述:IGBT 模块 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MKI65-06A7T | 功能描述:分立半导体模块 65 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MKI75-06A7 | 功能描述:IGBT 模块 75 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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