- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18834 > MKI50-06A7 (IXYS)MOD IGBT H-BRIDGE 600V 72A E2 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MKI50-06A7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT H-BRIDGE 600V 72A E2 |
| 标准包装： | 12 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 全桥反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 72A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 600µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 2.8nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 225W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E2 |
| 供应商设备封装： | E2 |
MKI 50-06 A7
MKI 50-06 A7T
Diodes
Equivalent Circuits for Simulation
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
I F25
I F80
T C = 25°C
T C = 80°C
72
45
A
A
Conduction
Characteristic Values
min.
typ.
max.
V F
I F = 50 A; V GE = 0 V; T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
1.6
1.3
1.8
V
V
I RM
t rr
R thJC
I F = 30 A; di F /dt = -500 A/μs; T VJ = 125°C
V R = 300 V; V GE = 0 V
(per diode)
25
90
A
ns
1.19 K/W
IGBT (typ. at V GE = 15 V; T J = 125°C)
V 0 = 0.82 V; R 0 = 28 m Ω
Free Wheeling Diode (typ. at T J = 125°C)
V 0 = 0.89 V; R 0 = 8 m Ω
Module
Thermal Response
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T VJ
T stg
-40...+150
-40...+125
° C
° C
V ISOL
M d
I ISOL ≤ 1 mA; 50/60 Hz
Mounting torque (M5)
2500
2.7 - 3.3
V~
Nm
Characteristic Values
IGBT (typ.)
R pin-chip
min.
typ.
5
max.
m Ω
C th1 = 0.201 J/K; R th1 = 0.42 K/W
C th2 = 1.252 J/K; R th2 = 0.131 K/W
d S
d A
R thCH
Weight
Creepage distance on surface
Strike distance in air
with heatsink compound
6
6
0.02
180
mm
mm
K/W
g
Free Wheeling Diode (typ.)
C th1 = 0.116 J/K; R th1 = 0.973 K/W
C th2 = 0.88 J/K; R th2 = 0.277 K/W
Temperature Sensor NTC (MKI ... A7T version only)
10000
Symbol
Conditions
Characteristic Values
Ω
min.
typ.
max.
R
1000
R 25
B 25/50
T = 25°C
4.75
5.0
3375
5.25 k Ω
K
100
MUBW2006A7
0
25
50
75
100
125 C 150
? 2011 IXYS All rights reserved
Dimensions in mm
(1 mm = 0.0394")
T
Typ. thermistor resistance versus
temperature
20110119a
2-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| L18P030S12 | SENSOR CURRENT |
| V-15-1A6 | SWITCH MINI SPDT 15A PIN PLUNGER |
| F1842CAH1600 | MODULE SCR/DIODE 40A 600VAC |
| P-4-0 | CORD PIN TIP PLUG PATCH 4" BLACK |
| F1857HD1400 | MODULE SCR/DIODE 55A 530VAC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MKI50-06A7T | 功能描述:分立半导体模块 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MKI50-12E7 | 功能描述:分立半导体模块 IGBT (NPT3) 1200V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MKI50-12F7 | 功能描述:IGBT 模块 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MKI65-06A7T | 功能描述:分立半导体模块 65 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MKI75-06A7 | 功能描述:IGBT 模块 75 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。