- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18834 > MKI50-06A7 (IXYS)MOD IGBT H-BRIDGE 600V 72A E2 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MKI50-06A7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT H-BRIDGE 600V 72A E2 |
| 标准包装： | 12 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 全桥反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.4V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 72A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 600µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 2.8nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 225W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E2 |
| 供应商设备封装： | E2 |
MKI 50-06 A7
MKI 50-06 A7T
150
V GE = 17V
150
I C
A
120
15V
13V
I C
A
120
V GE = 17V
90
90
15V
60
11V
60
13V
11V
30
9V
30
9V
0
T VJ = 25°C
0
T VJ = 125°C
0
1
2
3
4
5
V
6
0
1
2
3
4
5 V
6
150
V CE
Fig. 1 Typ. output characteristics
90
V CE
Fig. 2 Typ. output characteristics
I C
A
120
I F
A
75
60
90
45
60
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
30
0
T VJ = 125°C
T VJ = 25°C
V CE = 20V
30
15
0
4
6
8
10
12
14 V 16
0.0
0.5
1.0
1.5
V
2.0
V GE
Fig. 3 Typ. transfer characteristics
V F
Fig. 4 Typ. forward characteristics of
free wheeling diode
20
V
50
150
V GE
15
I RM
A
40
30
t rr
ns
120
90
t rr
10
20
60
I C
5
V CE = 300V
= 50A
10
I RM
T VJ = 125°C
V R = 300V
I F = 30A
30
0
0
40
80
120
nC
160
0
0
200
400
MWI5006A7
A/
600 800 μ s 1000
0
Q G
Fig. 5 Typ. turn on gate charge
? 2011 IXYS All rights reserved
-di/dt
Fig. 6 Typ. turn off characteristics of
free wheeling diode
20110119a
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| L18P030S12 | SENSOR CURRENT |
| V-15-1A6 | SWITCH MINI SPDT 15A PIN PLUNGER |
| F1842CAH1600 | MODULE SCR/DIODE 40A 600VAC |
| P-4-0 | CORD PIN TIP PLUG PATCH 4" BLACK |
| F1857HD1400 | MODULE SCR/DIODE 55A 530VAC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MKI50-06A7T | 功能描述:分立半导体模块 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MKI50-12E7 | 功能描述:分立半导体模块 IGBT (NPT3) 1200V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MKI50-12F7 | 功能描述:IGBT 模块 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MKI65-06A7T | 功能描述:分立半导体模块 65 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MKI75-06A7 | 功能描述:IGBT 模块 75 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。