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参数资料
型号： MM908E622ACDWB/R2
厂商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分类： 微控制器/微处理器
英文描述： 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO54
封装： 17.90 X 7.50 MM, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, SOIC-54
文件页数： 4/66页
文件大小： 1277K
代理商： MM908E622ACDWB/R2
Analog Integrated Circuit Device Data
12
Freescale Semiconductor
908E622
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
HALF-BRIDGE OUTPUTS HB1 AND HB2
Switch On Resistance
High Side, TJ = 25°C, ILOAD = 1.0A
Low Side, TJ = 25°C, ILOAD = 1.0A
RDS(ON)-HB12
–
750
900
m
Ω
Over-current Shutdown
High Side
Low Side
IHBOC12
1.0
–
1.5
A
Over-current Shutdown blanking time(17)
tOCB
–4.8
–
μs
Switching Frequency (17)
fPWM
––
25
kHz
Freewheeling Diode Forward Voltage
High Side, TJ = 25°C, ILOAD = 1.0A
Low Side, TJ = 25°C, ILOAD = 1.0A
VHSF
VLSF
–
0.9
–
V
Leakage Current
ILeakHB
–<0.2
10
A
Low Side Current to Voltage Ratio(18)
VADOUT [V] / IHB [A], CSA = 1, (measured and trimmed IHS = 200mA)
VADOUT [V] / IHB [A], CSA = 0, (measured and trimmed IHS = 500mA)
CRRATIOHB12
17.5
3.5
25.0
5.0
32.5
6.5
V/A
HALF-BRIDGE OUTPUTS HB3 AND HB4
Switch On Resistance
High Side, TJ = 25°C, ILOAD = 1.0A
Low Side, TJ = 25°C, ILOAD = 1.0A
RDS(ON)-HB34
–
275
325
m
Ω
Over-current Shutdown
High Side
Low Side
IHBOC34
4.8
–
7.2
A
Over-current Shutdown blanking time(17)
tOCB
–4.8
–
μs
Switching Frequency(17)
fPWM
––
25
kHz
Freewheeling Diode Forward Voltage
High Side, TJ = 25°C, ILOAD = 1.0A
Low Side, TJ = 25°C, ILOAD = 1.0A
VHSF
VLSF
–
0.9
–
V
Leakage Current
ILeakHB
–<0.2
10
A
Low Side Current to Voltage Ratio(18)
VADOUT [V] / IHB [A], CSA = 1, (measured and trimmed IHS = 500mA)
VADOUT [V] / IHB [A], CSA = 0, (measured and trimmed IHS = 2.0A)
CRRATIOHB34
3.5
0.7
5.0
1.0
6.5
1.3
V/A
Notes
17.
This parameter is guaranteed by process monitoring but is not production tested.
18.
This parameter is guaranteed only if correct trimming was applied
Table 3. Static Electrical Characteristics (continued)
All characteristics are for the analog chip only. Refer to the 68HC908EY16 datasheet for characteristics of the microcontroller
chip. Characteristics noted under conditions 9.0V ≤ VSUP ≤ 16V, -40°C ≤ TJ ≤ 125°C, unless otherwise noted. Typical values noted
reflect the approximate parameter mean at TA = 25°C under nominal conditions, unless otherwise noted.
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
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PDF描述
MM908E624ACDWB/R 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO54
MM908E625ACDWB 8-BIT, FLASH, 8 MHz, MICROCONTROLLER, PDSO54
MMBD1010LT3 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
MMBD3000T1 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE
MMBD1000LT3 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
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