参数资料
型号: MMBD3005T1
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述: 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
封装: SC-59, 3 PIN
文件页数: 12/32页
文件大小: 298K
代理商: MMBD3005T1
MMBD1005LT1 MMBD2005T1 MMBD3005T1
3–49
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Breakdown Voltage (IBR = 100 A)
V(BR)
30
V
Reverse Voltage Leakage Current (VR = 75 V)(2)
IR
500
pA
Forward Voltage (IF = 1.0 mA)
Forward Voltage (IF = 10 mA)
VF
850
950
mV
Diode Capacitance (VR = 0 V, f = 1.0 MHz)
CD
2.0
pF
Reverse Recovery Time (IF = IR = 10 mA) (Figure 1)
trr
3.0
s
(2) Guaranteed leakage limit is for each diode in the pair contingent upon the other diode being
in a non–forward–biased condition.
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
Notes: 1. A 2.0 k
variable resistor adjusted for a Forward Current (IF) of 10 mA.
Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak) is equal to 10 mA.
Notes: 3. tp trr
+10 V
2 k
820
0.1
F
DUT
VR
100
H
0.1
F
50
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC) = 1 mA
OUTPUT PULSE
(IF = IR = 10 mA; measured
at iR(REC) = 1 mA)
IF
INPUT SIGNAL
相关PDF资料
PDF描述
MMBD352WT3 SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE
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参数描述
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