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参数资料
| 型号： | MMBD3005T1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | SC-59, 3 PIN |
| 文件页数： | 13/32页 |
| 文件大小： | 298K |
| 代理商： | MMBD3005T1 |
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Package Outline Dimensions
8–8
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS (continued)
NOTES:
1. LEADS WITHIN 0.13 (0.005) RADIUS OF TRUE
POSITION AT SEATING PLANE AT MAXIMUM
MATERIAL CONDITION.
2. DIMENSION L TO CENTER OF LEADS WHEN
FORMED PARALLEL.
3. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE MOLD
FLASH.
4. ROUNDED CORNERS OPTIONAL.
17
14
8
B
A
F
HG
D
K
C
N
L
J
M
SEATING
PLANE
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.715
0.770
18.16
19.56
B
0.240
0.260
6.10
6.60
C
0.145
0.185
3.69
4.69
D
0.015
0.021
0.38
0.53
F
0.040
0.070
1.02
1.78
G
0.100 BSC
2.54 BSC
H
0.052
0.095
1.32
2.41
J
0.008
0.015
0.20
0.38
K
0.115
0.135
2.92
3.43
L
0.300 BSC
7.62 BSC
M
0
10
0
10
N
0.015
0.039
0.39
1.01
__
_
CASE 646–06
14–PIN DIP
PLASTIC
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION L TO CENTER OF LEADS WHEN
FORMED PARALLEL.
4. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH.
5. ROUNDED CORNERS OPTIONAL.
–A–
B
F
C
S
H
G
D
J
L
M
16 PL
SEATING
18
9
16
K
PLANE
–T–
M
A
M
0.25 (0.010)
T
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.740
0.770
18.80
19.55
B
0.250
0.270
6.35
6.85
C
0.145
0.175
3.69
4.44
D
0.015
0.021
0.39
0.53
F
0.040
0.70
1.02
1.77
G
0.100 BSC
2.54 BSC
H
0.050 BSC
1.27 BSC
J
0.008
0.015
0.21
0.38
K
0.110
0.130
2.80
3.30
L
0.295
0.305
7.50
7.74
M
0
10
0
10
S
0.020
0.040
0.51
1.01
_
CASE 648–08
16–PIN DIP
PLASTIC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD352WT3 | SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE |
| MMBF0201NLT3 | 300 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
| MMBF0202PLT3 | 300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
| MMBF170D87Z | 500 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
| MMBF2201NT3 | 300 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MMBD301L | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:SILICON HOT-CARRIER DETECTOR AND SWITCHING DIODES |
| MMBD301LT1 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30V 200mW Single RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MMBD301LT1G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30V 200mW Single RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| MMBD301LT3 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 30V 200mW Single RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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