参数资料
型号: MMBD352WT3
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: 射频混频器
英文描述: SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE
封装: SC-70, 3 PIN
文件页数: 12/33页
文件大小: 302K
代理商: MMBD352WT3
MMBD352WT1
5–102
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. Forward Voltage
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
1.0
10
100
0.1
Figure 2. Capacitance
I
0.7
0.8
0.3
0.4
0.5
0.6
,FOR
W
ARD
CURRENT
(mA)
F
TA = 85°C
TA = –40°C
TA = 25°C
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0
1.0
0.9
0.8
0.6
0.7
1.0
2.0
3.0
4.0
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
相关PDF资料
PDF描述
MMBF0201NLT3 300 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
MMBF0202PLT3 300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
MMBF170D87Z 500 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
MMBF2201NT3 300 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MMBF2202PT3 300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
MMBD353 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT HIGH FREQUENCY SCHOTTKY DIODE
MMBD353LT1 功能描述:整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
MMBD353LT1G 功能描述:整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
MMBD353LT3 功能描述:整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
MMBD353LT3G 功能描述:整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel