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参数资料
| 型号： | MMBF170 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23 |
| 产品目录绘图： | SuperSOT-3, SOT-23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 500mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 欧姆 @ 200mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 40pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
? 2010 Fairchild Semiconductor Corporation
BS170 / MMBF170 Rev. E2
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBF2201NT1 | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323 |
| MMBF2202PT1 | MOSFET P-CH 20V 300MA SOT-323 |
| MMDF1N05ER2G | MOSFET N-CHAN DUAL 2A 50V 8SOIC |
| MMDF2C03HDR2G | MOSFET N/P-CHAN 2A 30V 8SOIC |
| MMDF2N02ER2G | MOSFET N-CHAN DUAL 2A 25V 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBF170 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-23 |
| MMBF170_08 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MMBF170_1 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MMBF170_D87Z | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMBF170_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR |
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