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参数资料
| 型号： | MMBF4416LT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 149K |
| 描述： | MOSFET SS N-CHAN VHF 30V SOT23 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 01/Oct/2008 |
| 标准包装： | 10 |
| 晶体管类型： | N 通道 JFET |
| 额定电流： | 15mA |
| 电压 - 额定： | 30V |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MMBF4416LT1GOSDKR |
MMBF4416LT1
http://onsemi.com
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DSS, 0.25 IDSS
COMMON GATE CHARACTERISTICS
S?PARAMETERS
(VDS
= 15 Vdc, T
channel
= 25
°C, Data Points in MHz)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBF4416 | IC AMP RF N-CHANNEL SOT-23 |
| MMBFJ309LT1G | JFET SS N-CHAN 25V SOT23 |
| MMBFJ310 | IC SWITCH RF N-CH 25V 10MA SOT23 |
| MMBV3401LT1 | DIODE TUNING SS 35V SOT23 |
| MMBV3700LT1G | DIODE TUNING SS 200V SOT23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBF4416LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTORJFETN-Channel30V V(BR)DSS5 |
| MMBF5103 | 功能描述:JFET N-Ch amplifier Lo Freq/Lo Noise RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| MMBF5103_Q | 功能描述:JFET N-Ch amplifier Lo Freq/Lo Noise RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| MMBF5434 | 功能描述:JFET N-Channel Switch RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
| MMBF5434_Q | 功能描述:JFET N-Channel Switch RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel |
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