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参数资料
| 型号： | MMBT1010LT1G |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封装： | CASE 318D-04, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | MMBT1010LT1G |
MMBT1010LT1 MSD1010T1
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 318D–04
ISSUE F
SC–59
S
G
H
D
C
B
L
A
1
3
2
J
K
DIM
A
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
2.70
3.10 0.1063 0.1220
MILLIMETERS
B
1.30
1.70 0.0512 0.0669
C
1.00
1.30 0.0394 0.0511
D
0.35
0.50 0.0138 0.0196
G
1.70
2.10 0.0670 0.0826
H
0.013
0.100 0.0005 0.0040
J
0.09
0.18 0.0034 0.0070
K
0.20
0.60 0.0079 0.0236
L
1.25
1.65 0.0493 0.0649
S
2.50
3.00 0.0985 0.1181
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSD1328-RT3 | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MSD1819A-RT3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MSD42T1G | 150 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MSD52-16 | 3 PHASE, 1600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| MSD52-16 | 3 PHASE, 1600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT1010T1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:PNP GENERAL PURPOSE DRIVER TRANSISTORS SURFACE MOUNT |
| MMBT1015 | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:LOW FREQUENCY PNP AMPLIFIER TRANSISTOR |
| MMBT1015_11 | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:LOW FREQUENCY PNP AMPLIFIER TRANSISTOR |
| MMBT1015-BL-AC3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:LOW FREQUENCY PNP AMPLIFIER TRANSISTOR |
| MMBT1015-BL-AE3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:LOW FREQUENCY PNP AMPLIFIER TRANSISTOR |
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