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参数资料
| 型号： | MMBT2222LT1 |
| 厂商： | RECTRON LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 中文描述： | NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 786K |
| 代理商： | MMBT2222LT1 |
RECTRON
RATING AND CHARACTERISTICS CURVES ( MMBT2222LT1 )
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100
200 300
500
Figure 3.Turn-On Time
IC,CLLECTOR CURRENT(mA)
Figure 4.Turn-Off Time
IC,CLLECTOR CURRENT(mA)
5.0 7.0
10
20 30
50 70
100
200 300 500
20
30
10
7.0
5.0
2.0
3.0
200
100
70
50
t,T
IM
E
(n
s)
t,T
IM
E
(n
s)
50
70
30
20
10
5.0
7.0
500
300
200
100
0.005
0.01
0.02 0.03 0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
20
30
50
IB,BASE CURRENT(mA)
Figure 2. Collector Saturation Region
hF
E
,D
C
U
R
E
N
T
G
A
IN
01
0.2 0.3
0.5 0.7
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
10
20
30
50 70
100
200 300 500 700
1.0k
IC,CCLLECTOR CURRENT(mA)
Figure 1. DC Current Gain
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V
C
E
,C
O
LL
E
C
TO
R
-E
M
IT
TE
R
V
O
LT
A
G
E
(V
O
LT
S
)
1.0
200
300
500
700
1000
50
30
20
10
100
70
tr@VCC=30V
td@VEB(off)=2.0V
td@VEB(off)=0
VCC=30V
IC/IB=10
IB1=IB2
TJ=25OC
t's=ts-1/8tf
tf
IC/IB=10
TJ=25OC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT2907LT1 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT4401LT1 | |
| MMBT5550LT1 | |
| MMBTA42LT1 | |
| MMBZ27VCL-13 | 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT2222LT1/D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors NPN Silicon |
| MMBT2222LT1_01 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors NPN Silicon |
| MMBT2222LT1_06 | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:General Purpose Transistors NPN Silicon |
| MMBT2222LT1D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors NPN Silicon |
| MMBT2222LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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