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参数资料
| 型号： | MMBT2222LT1 |
| 厂商： | RECTRON LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 中文描述： | NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 786K |
| 代理商： | MMBT2222LT1 |
RECTRON
RATING AND CHARACTERISTICS CURVES ( MMBT2222LT1 )
0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10 20
50 100 200 500
0.1 0.2 0.5
1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1.0k
IC,COLLECTOR CURRENT(mA)
Figure 10.Temperature Coefficients
Figure 9."On" Voltages
+0.5
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0
C
O
E
FF
IC
IE
N
T(
m
V
/O
C
)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
,V
O
LT
A
G
E
(V
O
LT
S
)
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
10
20 30
50
70 100
0.1 0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
20 30 50
REVERSE VOLTAGE(VOLTS)
IC,COLLECTOR CURRENT(mA)
Figure 7.Capacitances
Figure 8.Currunt-Gain Bandwidth Product
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
C
A
P
A
C
IT
A
N
C
E
( P
F)
T,
C
U
R
E
N
T-
G
A
IN
B
A
N
D
W
ID
TH
P
R
O
D
U
C
T(
M
H
z)
50
70
300
500
100
200
N
T,
N
O
IS
E
FI
G
U
R
E
(d
B
)
6.0
10
8.0
0
4.0
2.0
30
50 100 200
500
1.0k 2.0k
5.0k
10k 20k 50k 100k
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
50 100
f,FREQUENCY(KHz)
RS,SOURCE RESISTANCE(OHMS)
Figure 5.Frequency Effects
Figure 6.Source Resistance Effects
N
F,
N
O
IS
E
FI
G
U
R
E
(d
B
)
6.0
10
8.0
0
4.0
2.0
IC=1.0mA,RS=150
500Α,RS=200
100Α,RS=2.0K
50Α,RS=4.0K
RS=OPTIMUM
SOURCE
RESISTANCE
IC=50Α
100Α
500Α
1.0mΑ
f=1.0KHz
VCE=20V
TJ=25
OC
Ceb
CCb
TJ=25
OC
VBE(sat)@IC/IB=10
VBE(on)@VCE=10V
VCE(sat)@IC/IB=10
1.0V
RθVC for VCE(sat)
RθVB for VBE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT2907LT1 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT4401LT1 | |
| MMBT5550LT1 | |
| MMBTA42LT1 | |
| MMBZ27VCL-13 | 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT2222LT1/D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors NPN Silicon |
| MMBT2222LT1_01 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors NPN Silicon |
| MMBT2222LT1_06 | 制造商:COMCHIP 制造商全称:Comchip Technology 功能描述:General Purpose Transistors NPN Silicon |
| MMBT2222LT1D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors NPN Silicon |
| MMBT2222LT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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