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参数资料
| 型号： | MMBT3906T/R |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 145K |
| 代理商： | MMBT3906T/R |
2003 Mar 18
2
NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP switching transistor
MMBT3906
FEATURES
Collector current capability I
C = 200 mA
Collector-emitter voltage V
CEO = 40 V.
APPLICATIONS
General switching and amplification.
DESCRIPTION
PNP switching transistor in a SOT23 plastic package.
NPN complement: MMBT3904.
MARKING
Note
1.
= p: Made in Hong Kong.
= t: Made in Malaysia.
= W: Made in China.
TYPE NUMBER
MARKING CODE(1)
MMBT3906
7B
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
base
2
emitter
3
collector
handbook, halfpage
2
1
3
MAM256
Top view
2
3
1
Fig.1 Simplified outline (SOT23) and symbol.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
MAX.
UNIT
VCEO
collector-emitter voltage
40
V
IC
collector current (DC)
200
mA
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
VCBO
collector-base voltage
open emitter
40
V
VCEO
collector-emitter voltage
open base
40
V
VEBO
emitter-base voltage
open collector
6
V
IC
collector current (DC)
200
mA
ICM
peak collector current
200
mA
IBM
peak base current
100
mA
Ptot
total power dissipation
250
mW
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
Tj
junction temperature
150
°C
Tamb
operating ambient temperature
65
+150
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT3906W | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3906WT/R7 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3906 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4124 | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4126-13 | 200 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT3906T-T | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3906TT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3906TT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3906TT1H | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMBT3906T-TP | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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