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参数资料
| 型号： | MMBT3906T/R |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 145K |
| 代理商： | MMBT3906T/R |
2003 Mar 18
4
NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP switching transistor
MMBT3906
handbook, halfpage
0
400
600
200
MHC459
101
1
10
IC (mA)
hFE
102
103
(1)
(3)
(2)
Fig.2 DC current gain; typical values.
VCE = 1 V.
(1) Tamb = 150 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = 55 °C.
handbook, halfpage
0
10
250
0
50
100
150
200
2
VCE (V)
IC
(mA)
4
6
8
MHC460
(1)
(2)
(3)
(9)
(7)
(10)
(8)
(6)
(5)
(4)
Fig.3
Collector current as a function of
collector-emitter voltage.
(1) IB = 1.5 mA.
(2) IB = 1.35 mA.
(3) IB = 1.2 mA.
(4) IB = 1.05 mA.
(5) IB = 0.9 mA.
(6) IB = 0.75 mA.
(7) IB = 0.6 mA.
(8) IB = 0.45 mA.
(9) IB = 0.3 mA.
(10) IB = 0.15 mA.
Tamb = 25 °C.
handbook, halfpage
200
1200
400
600
800
1000
MHC461
1
101
IC (mA)
VBE
(mV)
10
102
103
(3)
(2)
(1)
Fig.4
Base-emitter voltage as a function of
collector current.
VCE = 1 V.
(1) Tamb = 55 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = 150 °C.
handbook, halfpage
200
1200
400
600
800
1000
MHC462
1
101
IC (mA)
VBEsat
(mV)
10
102
103
(1)
(3)
(2)
Fig.5
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current.
IC/IB = 10.
(1) Tamb = 55 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = 150 °C.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MMBT3906TT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3906TT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3906TT1H | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMBT3906T-TP | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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