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参数资料
| 型号： | MMBT3906T/R |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 145K |
| 代理商： | MMBT3906T/R |
2003 Mar 18
3
NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP switching transistor
MMBT3906
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
Tamb = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
500
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
ICBO
collector cut-off current
IE = 0; VCB = 30 V
50
nA
IEBO
emitter cut-off current
IC = 0; VEB = 6 V
50
nA
hFE
DC current gain
IC = 0.1 mA
60
IC = 1 mA
80
IC = 10 mA
100
300
IC = 50 mA
60
IC = 100 mA
30
VCEsat
collector-emitter saturation
voltage
IC = 10 mA; IB = 1 mA
250
mV
IC = 50 mA; IB = 5 mA
400
mV
VBEsat
base-emitter saturation voltage
IC = 10 mA; IB = 1 mA
850
mV
IC = 50 mA; IB = 5 mA
950
mV
Cc
collector capacitance
IE = ie = 0; VCB = 5 V; f = 1 MHz
4.5
pF
Ce
emitter capacitance
IC = ic = 0; VEB = 500 mV;
f = 1 MHz
10
pF
fT
transition frequency
IC = 10 mA; VCE = 20 V;
f = 100 MHz
250
MHz
F
noise figure
IC = 100 A; VCE = 5 V;
RS = 1 k; f = 10 Hz to 15.7 kHz
4
dB
Switching times (between 10% and 90% levels); see Fig.7
td
delay time
ICon = 10 mA; IBon = 1 mA;
IBoff = 1 mA
35
ns
tr
rise time
35
ns
ts
storage time
225
ns
tf
fall time
75
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT3906W | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3906WT/R7 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3906 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4124 | 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4126-13 | 200 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBT3906T-T | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3906TT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3906TT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3906TT1H | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMBT3906T-TP | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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