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参数资料
| 型号： | MMBT3906T/R |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 145K |
| 代理商： | MMBT3906T/R |
2003 Mar 18
5
NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP switching transistor
MMBT3906
handbook, halfpage
103
102
10
MHC463
101
1
10
IC (mA)
VCEsat
(mV)
102
103
(1)
(2)
(3)
Fig.6
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current.
IC/IB = 10.
(1) Tamb = 25 °C.
(2) Tamb = 150 °C.
(3) Tamb = 55 °C.
handbook, full pagewidth
RC
R2
R1
DUT
MGD624
Vo
RB
(probe)
450
(probe)
450
oscilloscope
VBB
Vi
VCC
Fig.7 Test circuit for switching times.
Vi = 5 V; T = 500 s; tp = 10 s; tr = tf ≤ 3 ns.
R1 = 56
; R2 = 2.5 k; R
B = 3.9 k; RC = 270 .
VBB = 1.9 V; VCC = 3 V.
Oscilloscope: input impedance Zi = 50 .
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MMBT3906TT1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3906TT1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3906TT1H | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMBT3906T-TP | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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