参数资料
| 型号： | MMBZ6V8AL,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 10/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROT DBL 4.5V SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 4.5V |
| 电压 - 击穿： | 6.46V |
| 功率（瓦特）： | 24W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-6349-6 |
NXP Semiconductors
MMBZxAL series
Low capacitance unidirectional double ESD protection diodes
10 3
P PPM
(W)
10 2
10
006aab320
1.2
P PPM
P PPM(25 ° C)
0.8
0.4
006aab321
1
10 ? 2
10 ? 1
1
10
10 2
10 3
t p (ms)
0
0
50
100
150
T j ( ° C)
200
T amb = 25 ° C
unidirectional and bidirectional
Fig 3.
250
C d
(pF)
Rated peak pulse power as a function of
exponential pulse duration (rectangular
waveform); typical values
006aab839
Fig 4.
150
C d
Relative variation of rated peak pulse power as
a function of junction temperature; typical
values
006aab840
(pF)
200
100
150
(1)
(3)
(2)
(1)
(4)
100
(2)
50
(2)
(3)
(5)
(6)
50
(4)
(3)
0
0
2
4
6
0
5
10
15
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
(1) MMBZ5V6AL: unidirectional
(2) MMBZ5V6AL: bidirectional
(3) MMBZ6V8AL: unidirectional
(4) MMBZ6V8AL: bidirectional
V R (V)
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
(1) MMBZ10VAL: unidirectional
(2) MMBZ10VAL: bidirectional
(3) MMBZ15VAL: unidirectional
(4) MMBZ15VAL: bidirectional
(5) MMBZ27VAL: unidirectional
(6) MMBZ27VAL: bidirectional
V R (V)
Fig 5.
Diode capacitance as a function of reverse
Fig 6.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
MMBZXAL_SER_2
voltage; typical values
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 10 December 2009
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ6V8AL-7 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 6.8V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| MMBZ6V8AL-7-F | 功能描述:TVS二极管阵列 6.8V 225mW RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ6V8ALT1 | 功能描述:TVS二极管阵列 6.8V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ6V8ALT1G | 功能描述:TVS二极管阵列 6.8V 225mW Dual Common Anode RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ6V8ALT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TVS Diode 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TVS DIODE ARRAY, 40W, 6.8V, SOT-23 |
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