参数资料
| 型号： | MMBZ6V8AL,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 8/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROT DBL 4.5V SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 4.5V |
| 电压 - 击穿： | 6.46V |
| 功率（瓦特）： | 24W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-6349-6 |
NXP Semiconductors
MMBZxAL series
Low capacitance unidirectional double ESD protection diodes
7. Characteristics
Table 10. Characteristics
T amb = 25 ° C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V F
forward voltage
I F = 10 mA
-
-
0.9
V
V RWM
reverse standoff voltage
MMBZ5V6AL
MMBZ6V2AL
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
MMBZ10VAL
MMBZ12VAL
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
3
4.5
6
6.5
8.5
12
14.5
17
22
26
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
I RM
reverse leakage current
MMBZ5V6AL
MMBZ6V2AL
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
MMBZ10VAL
MMBZ12VAL
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
V RWM = 3 V
V RWM = 3 V
V RWM = 4.5 V
V RWM = 6 V
V RWM = 6.5 V
V RWM = 8.5 V
V RWM = 12 V
V RWM = 14.5 V
V RWM = 17 V
V RWM = 22 V
V RWM = 26 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.24
5
10
5
1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
5
200
300
100
20
5
5
5
5
5
5
μ A
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
nA
V BR
breakdown voltage
MMBZ5V6AL
MMBZ6V2AL
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
MMBZ10VAL
MMBZ12VAL
I R = 20 mA
I R = 1 mA
I R = 1 mA
I R = 1 mA
I R = 1 mA
I R = 1 mA
5.32
5.89
6.46
8.65
9.5
11.4
5.6
6.2
6.8
9.1
10
12
5.88
6.51
7.14
9.56
10.5
12.6
V
V
V
V
V
V
MMBZ15VAL
I R = 1 mA
14.25 15
15.75 V
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
I R = 1 mA
I R = 1 mA
17.1
19
18
20
18.9
21
V
V
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
I R = 1 mA
I R = 1 mA
25.65 27
31.35 33
28.35 V
34.65 V
MMBZXAL_SER_2
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 10 December 2009
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ6V8AL-7 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 6.8V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| MMBZ6V8AL-7-F | 功能描述:TVS二极管阵列 6.8V 225mW RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ6V8ALT1 | 功能描述:TVS二极管阵列 6.8V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ6V8ALT1G | 功能描述:TVS二极管阵列 6.8V 225mW Dual Common Anode RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ6V8ALT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TVS Diode 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TVS DIODE ARRAY, 40W, 6.8V, SOT-23 |
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