参数资料
| 型号： | MMBZ6V8AL,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 9/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROT DBL 4.5V SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 4.5V |
| 电压 - 击穿： | 6.46V |
| 功率（瓦特）： | 24W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-6349-6 |
NXP Semiconductors
MMBZxAL series
Low capacitance unidirectional double ESD protection diodes
Table 10. Characteristics …continued
T amb = 25 ° C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
C d
diode capacitance
f = 1 MHz; V R = 0 V
V CL
MMBZ5V6AL
MMBZ6V2AL
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
MMBZ10VAL
MMBZ12VAL
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
clamping voltage
[1][2]
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
210
175
150
155
130
110
85
70
65
48
45
280
230
200
200
170
140
105
90
80
60
55
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
MMBZ5V6AL
MMBZ6V2AL
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
MMBZ10VAL
MMBZ12VAL
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
I PPM = 3 A
I PPM = 2.76 A
I PPM = 2.5 A
I PPM = 1.7 A
I PPM = 1.7 A
I PPM = 2.35 A
I PPM = 1.9 A
I PPM = 1.6 A
I PPM = 1.4 A
I PPM = 1 A
I PPM = 0.87 A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
8.7
9.6
14
14.2
17
21
25
28
40
46
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
S Z
temperature coefficient
MMBZ5V6AL
MMBZ6V2AL
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
MMBZ10VAL
MMBZ12VAL
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
I Z = 20 mA
I Z = 1 mA
I Z = 1 mA
I Z = 1 mA
I Z = 1 mA
I Z = 1 mA
I Z = 1 mA
I Z = 1 mA
I Z = 1 mA
I Z = 1 mA
I Z = 1 mA
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.7
2.1
3.2
5.4
6.5
8.2
11
14
15.8
23
29.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
mV/K
mV/K
mV/K
mV/K
mV/K
mV/K
mV/K
mV/K
mV/K
mV/K
mV/K
MMBZXAL_SER_2
[1]
[2]
In accordance with IEC 61643-321(10/1000 μ s current waveform).
Measured from pin 1 or 2 to pin 3.
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 10 December 2009
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PDF描述 |
|---|---|
| 76314-209LF | CONN RCPT 2X9POS VERT .100 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ6V8AL-7 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 6.8V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| MMBZ6V8AL-7-F | 功能描述:TVS二极管阵列 6.8V 225mW RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ6V8ALT1 | 功能描述:TVS二极管阵列 6.8V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ6V8ALT1G | 功能描述:TVS二极管阵列 6.8V 225mW Dual Common Anode RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ6V8ALT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TVS Diode 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TVS DIODE ARRAY, 40W, 6.8V, SOT-23 |
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