参数资料
| 型号： | MMBZ6V8AL,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 6/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE ESD PROT DBL 4.5V SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 4.5V |
| 电压 - 击穿： | 6.46V |
| 功率（瓦特）： | 24W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-6349-6 |
NXP Semiconductors
MMBZxAL series
Low capacitance unidirectional double ESD protection diodes
001aaa631
150
I PP
(%)
100
100 % I PP ; 10 μ s
006aab319
I PP
100 %
90 %
50 % I PP ; 1000 μ s
50
10 %
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
t r = 0.7 ns to 1 ns
30 ns
t
t p (ms)
60 ns
Fig 1.
10/1000 μ s pulse waveform according to
Fig 2.
ESD pulse waveform according to
IEC 61643-321
MMBZXAL_SER_2
IEC 61000-4-2
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 10 December 2009
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ6V8AL-7 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 6.8V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| MMBZ6V8AL-7-F | 功能描述:TVS二极管阵列 6.8V 225mW RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ6V8ALT1 | 功能描述:TVS二极管阵列 6.8V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ6V8ALT1G | 功能描述:TVS二极管阵列 6.8V 225mW Dual Common Anode RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ6V8ALT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TVS Diode 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TVS DIODE ARRAY, 40W, 6.8V, SOT-23 |
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