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参数资料
| 型号： | MMDF1N05ER2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 330pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | MMDF1N05ER2OSCT |
MMDF1N05E, MVDF1N05E
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
(V GS = 0, I D = 250 m A)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V DS = 50 V, V GS = 0)
Gate ? Body Leakage Current
(V GS = 20 Vdc, V DS = 0)
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
50
?
?
?
?
?
?
2
100
Vdc
m Adc
nAdc
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
Gate Threshold Voltage (V DS = V GS , I D = 250 m Adc)
Drain ? to ? Source On ? Resistance
(V GS = 10 Vdc, I D = 1.5 Adc)
(V GS = 4.5 Vdc, I D = 0.6 Adc)
Forward Transconductance (V DS = 15 V, I D = 1.5 A)
V GS(th)
R DS(on)
R DS(on)
g FS
1.0
?
?
?
?
?
?
1.5
3.0
0.30
0.50
?
Vdc
W
mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
(V DS = 25 V, V GS = 0,
f = 1.0 MHz)
C iss
C oss
C rss
?
?
?
330
160
50
?
?
?
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 3)
Turn ? On Delay Time
t d(on)
?
?
20
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
(V DD = 10 V, I D = 1.5 A, R L = 10 W ,
V G = 10 V, R G = 50 W )
t r
t d(off)
t f
?
?
?
?
?
?
30
40
25
Total Gate Charge
Gate ? Source Charge
Gate ? Drain Charge
(V DS = 10 V, I D = 1.5 A,
V GS = 10 V)
Q g
Q gs
Q gd
?
?
?
12.5
1.9
3.0
?
?
?
nC
SOURCE ? DRAIN DIODE CHARACTERISTICS (T C = 25 ° C)
Forward Voltage (Note 2)
Reverse Recovery Time
(I S = 1.5 A, V GS = 0 V)
(dI S /dt = 100 A/ m s)
V SD
t rr
?
?
?
45
1.6
?
V
ns
2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2.0%.
3. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
http://onsemi.com
2
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MMDF1N05ER2G | 功能描述:MOSFET NFET SO8D 50V 200mA 300mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMDF1N05ER2G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
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| MMDF2C02HD | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:COMPLEMENTARY DUAL TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 20 VOLTS |
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