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参数资料
| 型号： | MMDF2C03HDR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CHAN 2A 30V 8SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 产品目录绘图： | MOSFET 8-SOIC |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.1A，3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 630pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MMDF2C03HDR2GOSDKR |
MMDF2C03HD
N ? Channel
P ? Channel
350
300
250
200
150
100
50
I D = 9 A
350
300
250
200
150
100
50
I D = 6 A
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 13. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 13. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
10
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
Normalized to q ja at 10s.
0.02
Chip
0.0175 W
0.0710 W
0.2706 W
0.5776 W
0.7086 W
0.01
0.01
SINGLE PULSE
0.0154 F
0.0854 F
0.3074 F
1.7891 F
107.55 F
Ambient
0.001
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
t, TIME (s)
Figure 14. Thermal Response
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 15. Diode Reverse Recovery Waveform
http://onsemi.com
9
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PDF描述 |
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