型号: | MMDF2N06VLR2 |
厂商: | MOTOROLA INC |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 2500 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
封装: | MINIATURE, CASE 751-05, SO-8 |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 91K |
代理商: | MMDF2N06VLR2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMDF3N06HDR2 | 3300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
MMDF4N01HDR2 | 4 A, 12 V, 0.1 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
MMDF6N02HDR2 | 6500 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
MMDJ3N03BJTR2G | 3 A, 30 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
MMDT2907A | 600 mA, 60 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMDF2P01HD | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:DUAL TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 12 VOLTS |
MMDF2P01HDR2 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
MMDF2P02E | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:DUAL TMOS MOSFET 2.5 AMPERES 25 VOLTS |
MMDF2P02ER2 | 功能描述:MOSFET 25V 2A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
MMDF2P02ER2G | 功能描述:MOSFET PFET 25V 2.5A 250MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |