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参数资料
| 型号： | MMDF2N06VLR2 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2500 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | MINIATURE, CASE 751-05, SO-8 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | MMDF2N06VLR2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMDF3N06HDR2 | 3300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MMDF4N01HDR2 | 4 A, 12 V, 0.1 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MMDF6N02HDR2 | 6500 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| MMDJ3N03BJTR2G | 3 A, 30 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MMDT2907A | 600 mA, 60 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMDF2P01HD | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:DUAL TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 12 VOLTS |
| MMDF2P01HDR2 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMDF2P02E | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:DUAL TMOS MOSFET 2.5 AMPERES 25 VOLTS |
| MMDF2P02ER2 | 功能描述:MOSFET 25V 2A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMDF2P02ER2G | 功能描述:MOSFET PFET 25V 2.5A 250MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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