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参数资料
| 型号： | MMDF2P02ER2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR P-CH 25V 2.5A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 475pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MMDF2P02E
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
4
V GS = 10 7 V
5V
4.7 V
T J = 25 ° C
4
V DS ≥ 10 V
4.5 V
3
4.3 V
3
100 ° C
2
1
4.1 V
3.9 V
3.7 V
2
1
25 ° C
T J = -55 ° C
3.5 V
3.3 V
0
0
0.4 0.8 1.2 1.6
2
0
2.5
3 3.5 4
4.5
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.6
0.5
I D = 1 A
T J = 25 ° C
0.6
0.5
T J = 25 ° C
0.4
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.3
0.2
0.1
V GS = 4.5
10 V
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0.5
1
1.5
2
2.0
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? to ? Source Voltage
V GS = 10 V
100
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
V GS = 0 V
I D = 2 A
1.5
T J = 125 ° C
1.0
0.5
10
100 ° C
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
1
0
4
8
12
16
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMDF2P02HDR2G | MOSFET P-CH DUAL 3.3A 20V 8SOIC |
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| MMDF3N04HDR2G | MOSFET N-CH DUAL 3.4A 40V 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMDF2P02ER2G-ND | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMDF2P02HD | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts P−Channel SO−8, Dual |
| MMDF2P02HDR2 | 功能描述:MOSFET 20V 2A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMDF2P02HDR2G | 功能描述:MOSFET PFET SO8D 20V 3.3A 160mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMDF2P03HD | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 2 Amps, 30 Volts Pa??Channel SOa??8, Dual |
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